Любовь Ширижик (Старший редактор отдела «Силовые структуры»)
Владимир Седов (Редактор отдела «Силовые структуры»)
。PDF资料对此有专业解读
Фото: Ammar Awad / Reuters，详情可参考服务器推荐
Modern NAND might use ~100-400 electrons per level difference with 7 level differences. These exact charge levels are not public, this is best guess. For a conservative max-charge estimate per cell (full ‘000’ state in TLC), let’s use ~1,000 electrons.